Каталог товаров
- Главная
- Компоненты ECU
- NGD 8201 AG
NGD 8201 AG
- Обзор
- Отзывы0
Основные характеристики
- Тип транзистора: N-канальный MOSFET с интегрированным диодом
- Максимальное напряжение сток-исток (V_DSS): 100 В
- Максимальный ток стока (I_D): 37 А
- Сопротивление открытого канала (R_DS(on)): 12 мОм (при V_GS = 10 В, I_D = 10 А)
- Максимальное напряжение затвор-исток (V_GS): ±20 В
- Мощность рассеивания (P_D): 83 Вт (при T_C = 25°C)
- Заряд затвора (Q_g): 35 нКл (при V_GS = 10 В)
- Встроенный диод свободного хода с быстрым временем восстановления
- Максимальная температура перехода (T_j): 175°C
Особенности
- Низкое сопротивление открытого канала (R_DS(on)) для повышения эффективности
- Высокая импульсная выдержка по току
- Встроенный диод защищает от выбросов напряжения и снижает электромагнитные помехи
- Компактный корпус с хорошими тепловыми характеристиками
Тип корпуса
NGD8201AG выпускается в корпусе DPAK (TO-252), который обеспечивает компактность и эффективный теплоотвод.
- Тип корпуса: DPAK (TO-252)
- Размеры корпуса:
- Длина: 6.6 мм
- Ширина: 6.1 мм
- Высота: 2.3 мм
- Шаг выводов: 2.3 мм
- Теплорассеивающая площадка: да (металлическая площадка на задней стороне корпуса)
Применение
- Управление двигателями постоянного тока
- Импульсные источники питания (SMPS)
- Преобразователи напряжения
- Автомобильная электроника
- Силовые ключи в промышленных контроллерах
Заключение
NGD8201AG – это мощный N-канальный MOSFET с низким сопротивлением канала и встроенным защитным диодом, оптимизированный для высокочастотных коммутирующих приложений. Компактный корпус DPAK (TO-252) позволяет использовать его в схемах с ограниченным пространством, обеспечивая при этом эффективное охлаждение
NGD 8201 AG отзывы
About this product reviews yet. Be the first!