Каталог товаров
- Главная
- Компоненты ECU
- 5503DM — N-канальный MOSFET-транзистор
5503DM — N-канальный MOSFET-транзистор
- Обзор
- Отзывы0
Основные характеристики
- Тип устройства:
- N-канальный MOSFET.
- Электрические параметры:
- Максимальное напряжение сток-исток (Vds): 30 В.
- Максимальный ток стока (Id): 50 А (при Tcase = 25°C).
- Сопротивление канала в открытом состоянии (Rds(on)): ~8–10 мОм (при Vgs = 10 В).
- Напряжение затвор-исток (Vgs): ±20 В.
- Мощность рассеивания (Pd):
- До 50–75 Вт (при использовании эффективного охлаждения).
- Температурный диапазон:
- От -55°C до +150°C.
- Скорость переключения:
- Высокая скорость включения и выключения, что минимизирует потери мощности.
- Корпус:
- DPAK (TO-252) — корпус для поверхностного монтажа (SMD).
Корпус TO-252 (DPAK)
- Особенности корпуса:
- Компактный корпус с теплоотводящей пластиной для улучшенного отвода тепла.
- Подходит для монтажа на платах высокой плотности.
- Размеры корпуса:
- Примерные размеры: 6.6 мм × 6.1 мм × 2.3 мм.
- Распиновка:
- 1 (G): Gate (Затвор).
- 2 (D): Drain (Сток).
- 3 (S): Source (Исток).
- Теплоотвод подключён к стоку.
Применение
- Автомобильные системы:
- Управление электродвигателями, вентиляторами, насосами.
- Используется в блоках управления (ECU) для работы с мощными потребителями.
- Промышленные устройства:
- Преобразователи напряжения.
- Источники питания и схемы управления реле.
- Энергетика:
- Инверторы и системы управления солнечными панелями.
- Источники бесперебойного питания (UPS).
- Бытовая электроника:
- Управление нагревательными элементами, освещением.
Преимущества
- Высокая токопроводимость: Поддерживает токи до 50 А.
- Низкое сопротивление канала (Rds(on)): Минимальные потери при работе.
- Компактность: Корпус TO-252 подходит для современных устройств с высокой плотностью компонентов.
- Универсальность: Подходит для широкого спектра приложений.
Особенности
- Быстрое переключение, что делает его подходящим для работы в высокочастотных цепях.
- Высокая устойчивость к перегрузкам по току и напряжению.
- Хорошее управление тепловыделением благодаря компактному корпусу с теплоотводящей подложкой.
Рекомендации по использованию
- Используйте радиатор или эффективный теплоотвод для работы с высокими токами.
- Для индуктивных нагрузок (моторы, реле) добавьте защитный диод свободного хода.
- Для надёжного управления затвором используйте драйвер затвора или резистор между затвором и землёй
5503DM — N-канальный MOSFET-транзистор отзывы
About this product reviews yet. Be the first!