Каталог товаров
- Главная
- Компоненты ECU
- IRF3205 N-канальный MOSFET транзистор, 55 В, 110 А
IRF3205 N-канальный MOSFET транзистор, 55 В, 110 А
- Обзор
- Отзывы0
Основные характеристики
- Производитель:
- International Rectifier (ныне Infineon Technologies).
- Тип устройства:
- N-канальный MOSFET.
- Электрические параметры:
- Максимальное напряжение сток-исток (Vds): 55 В.
- Максимальный ток стока (Id): 110 А (при Tcase = 25°C).
- Напряжение затвор-исток (Vgs): ±20 В.
- Сопротивление канала в открытом состоянии (Rds(on)):
- 8 мОм (максимум при Vgs = 10 В).
- Мощность рассеивания (Pd):
- До 200 Вт при адекватном охлаждении.
- Скорость переключения:
- Быстрое время включения и выключения.
- Время включения (ton): ~60 нс.
- Время выключения (toff): ~50 нс.
- Температурный диапазон:
- -55°C до +175°C.
Корпус
- Тип корпуса:
- TO-220 — корпус для сквозного монтажа (THT).
- Размеры корпуса:
- Длина: ~10 мм.
- Ширина: ~4.6 мм.
- Шаг выводов: 2.54 мм (стандартный шаг).
- Распиновка:
- 1 (G): Gate (Затвор).
- 2 (D): Drain (Сток).
- 3 (S): Source (Исток).
- Металлическая пластина корпуса подключена к стоку для отвода тепла.
Применение
- Автомобильные системы:
- Управление электромоторами, насосами, вентиляторами.
- Использование в системах освещения и обогрева.
- Промышленные приложения:
- Источники питания и преобразователи напряжения (DC-DC).
- Управление реле и электромагнитными клапанами.
- Энергетические системы:
- Инверторы для солнечных панелей.
- Источники бесперебойного питания (UPS).
- Бытовая электроника:
- Управление нагревательными элементами, моторами и вентиляторами.
- DIY и радиолюбительские проекты:
- Регуляторы напряжения, широтно-импульсная модуляция (ШИМ), мощные драйверы.
Преимущества
- Высокая пропускная способность: Ток до 110 А при правильном охлаждении.
- Низкое сопротивление канала: Минимальные потери мощности.
- Широкий диапазон рабочих температур: Подходит для экстремальных условий.
- Универсальность: Используется в различных схемах управления мощными нагрузками.
Особенности
- Быстрое переключение, что делает его идеальным для высокочастотных приложений.
- Хорошая термостабильность: возможность работы при высоких токах и мощностях с адекватным теплоотводом.
- Высокая устойчивость к скачкам напряжения и токовым перегрузкам.
Пример использования
Подключение в ШИМ-схеме с микроконтроллером (Arduino):
- Затвор (G) подключается через резистор 100–220 Ом к цифровому выходу микроконтроллера (для управления ШИМ).
- Сток (D) подключается к одному из выводов нагрузки.
- Исток (S) подключается к общему (GND).
- Нагрузка (например, мотор) подключается между стоком и источником питания (например, 12 В).
Для индуктивной нагрузки (моторы, реле) обязательно устанавливается диод свободного хода (например, 1N5819).
Рекомендации по использованию
- Для работы с высокими токами необходимо использовать радиатор.
- Если частота переключения высока (>10 кГц), рекомендуется использовать драйвер затвора для быстрого управления MOSFET.
- При работе с индуктивной нагрузкой установите защитный диод для предотвращения повреждения транзистора
IRF3205 N-канальный MOSFET транзистор, 55 В, 110 А отзывы
About this product reviews yet. Be the first!